Número de Producto del Fabricante:
TSM2N7000KCT A3G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM2N7000KCT A3G-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventario:
12892493
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ENVIAR
TSM2N7000KCT A3G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Número de producto base
TSM2N7000
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
TSM2N7000KCT A3GTB-DG
TSM2N7000KCT A3GCT-DG
TSM2N7000KCT A3GTB
TSM2N7000KCT A3GCT
TSM2N7000KCTA3GCT
TSM2N7000KCTA3GTB
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
2N7000TA
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
2N7000TA-DG
PRECIO UNITARIO
0.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
2N7000-D74Z
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
27687
NÚMERO DE PIEZA
2N7000-D74Z-DG
PRECIO UNITARIO
0.09
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
2N7000-D26Z
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
14242
NÚMERO DE PIEZA
2N7000-D26Z-DG
PRECIO UNITARIO
0.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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